檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "doping".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="石墨烯"
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本研究分為兩階段，第一階段以Cu(B)薄膜作為硼源，以化學氣相沉積法製備硼摻雜石墨烯，並以純石墨烯做為比較，探討其性質差異。由拉曼光譜、UV-vis光譜、XPS能譜分析其材料特性。於拉曼光譜可以觀察…
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本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
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石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
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本論文旨在研究氮摻雜(N-dope)石墨烯氣凝膠/碳纖維複合材料之電化學特性與電容去離子淨水技術(capacitive deionization, CDI)之開發，利用冷凍乾燥技術製備之氮原子摻雜石…
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石墨烯為一新興二維碳材料，擁有較矽良好之導電性質，而室溫下具備高電子遷移率，使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳，因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
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此研究主要為三部分，第一部分是透過化學氣相沉積方式且利用加熱帶加熱聚二甲基矽烷之前驅物生長出矽摻雜石墨烯，與純石墨烯作為比較，探討其性質。石墨烯以Raman光譜、UV-vis光譜以及XPS進行分析。…
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層（AlN BL），可以在少層石墨烯（FLG）/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的低溫AlN…
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石墨烯具有優異的材料特性可應用於許多產業應用。目前已知利用化學氣相沉積生產高品質奈米材料但產率非常低，液相剝離法雖然可提高產率但產物品質不佳。因此開發石墨烯大规模、低成本、可控制的製備方法為落實石墨…
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鋰-硫（Li-S）電池領域在過去幾十年中已進行大量研究，期望尋找能達成高容量、長循環壽命、安全性改進、高倍率性能和高硫負載等商業化目標之正極材料。雖然已有顯著的成就，但實際應用的問題尚未完全解決，本…
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空氣中對人體有害的物質例如: volatile organic compounds (VOCs)、氮氧化物(NOx)、一氧化碳(CO)、粉塵微粒(PM10)…等。2009年，國際癌症研究機構（IAR…